Видавничий код:
ФКК067Автор:
М. П. Пугач, В. М. МашталєрКількість сторінок:
128ISBN:
978-617-00-3675-9Мова:
УкраїнськаВидання:
Чорно-білеРік видання:
2019Вид видання:
КнигиСерія:
Бібліотека журналуКлас:
9, 10, 11Формат:
pdfРозмір файлу:
19.09 мб.Ціна45.00₴
Сучасні наукові дослідження в широкому діапазоні від тонких фізичних і біологічних експериментів до дослідження космосу немислимі без напівпровідникової електроніки. Цей посібник розроблено спеціально для вчителів фізики та учнів старших класів загальноосвітніх шкіл і студентів другого курсу коледжів для детальнішого ознайомлення з надзвичайно важливим розділом фізики — фізикою напівпровідників. Він є необхідним доповненням до розділу програми з фізики «Електричний струм у напівпровідниках».
Передмова …………… 3
Вступ …………………... 4
1. Фізичні основи напівпровідникових приладів ……………. 6
1.1. Класифікація твердих тіл за провідністю …………………… 6
1.2. Основні матеріали напівпровідникової техніки ……….. 8
1.3. Електрони в твердих тілах ……………………………………….. 11
1.4. Власна електронна і діркова електропровідність ……. 14
1.5. Домішкова електропровідність ………………………………. 19
1.6. Електронно-дірковий перехід за відсутності зовнішньої напруги ……. 22
1.7. Електронно-дірковий перехід за прямої напруги ……. 25
1.8. Електронно-дірковий перехід за зворотної напруги ……. 27
1.9. Вольт-амперна характеристика (ВАХ) n-p-переходу ……. 29
1.10. Ємність n-p-переходу …………………………………………….. 33
1.11. Температурні властивості n-p-переходу ………………. 35
2. Напівпровідникові діоди ………………………………………………. 37
2.1 Основні типи діодів. Класифікація діодів …………………. 37
2.2. Випрямні діоди ……………………………………… 39
2.3. Застосування діодів для випрямляння змінного струму …………. 40
2.4. Імпульсні діоди ………………. 44
2.5 Стабілітрони ……………………….. 46
2.6. Варикапи ……………………………... 49
3. Біполярні транзистори …………….. 50
3.1. Загальні відомості ……………………. 50
3.2. Фізичні процеси в біполярному транзисторі ……………… 51
3.3. Принцип підсилювання за допомогою транзистора ….. 52
3.4. Схема із загальним емітером (ЗЕ) …………………………. 57
3.5. Схема із загальною базою (ЗБ) ……………………………... 58
3.6. Схема із загальним колектором (ЗК) ……………………… 60
3.7. Схеми живлення біполярного транзистора …………… 61
3.8. Схеми температурної стабілізації режиму транзистора ………….. 64
3.9. Характеристики біполярних транзисторів ………………….. 66
3.10. Системи вторинних параметрів транзисторів ………….. 69
4. Польові (уніполярні) транзистори …………………………… 76
4.1. Польові транзистори з керівним переходом ………... 76
4.2. Польові транзистори з ізольованим затвором ……….. 80
5. Тиристори ………………………. 86
6. Термоелектричні напівпровідникові прилади ……………. 90
7. Оптоелектронні напівпровідникові прилади ………………. 93
7.1. Фотоелектронні прилади …………………... 93
7.2. Світловипромінювальні діоди ………………. 98
7.3. Оптрони …………………. 101
8. Тензоелектричні напівпровідникові прилади ……………. 102
9. Магнітоелектричні напівпровідникові прилади ……….. 103
10. Напівпровідникові резистори ……………………. 105
11. Основи напівпровідникової мікроелектроніки ………….. 106
11.1. Класифікація інтегральних мікросхем за функціональним та конструктивно-технологічним принципом ……………… 106
11.2. Ізоляція елементів у напівпровідникових ІМС …………… 107
11.3. Біполярні транзистори напівпровідникових ІМС ………... 108
11.4. Багатоемітерні транзистори напівпровідникових ІМС ……….. 109
11.5. Діоди напівпровідникових ІМС ………………….. 110
11.6. МОН-транзистор напівпровідникових ІМС ……………… 111
11.7. Дифузійні резистори напівпровідникових ІМС ………… 112
11.8. Конденсатори напівпровідникових ІМС …………………... 112
12. Контрольні питання ………………………………. 115
13. Задачі ……………………………………. 117
Задача № 1 …………………….. 117
Задача № 2 …………………….. 120
Рекомендована література ……………... 123